Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около 7% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 16.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 3636

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

модули RAM