Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.9 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 18.9
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 3418

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM