RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3437
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link