RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
22.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3837
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link