RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3331
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link