RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3631
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link