RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2821
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link