RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2821
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link