RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2542
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link