RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
8.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1967
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link