RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
122
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
122
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1411
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link