RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingston 9905702-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
80
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
80
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1698
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link