RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 12.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.9 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 2781

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
модули RAM