RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1774
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link