RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
95
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
95
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1518
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link