Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 35
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 12.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.9 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 2583
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения