RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3054
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link