RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2575
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link