RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3397
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link