RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
3367
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link