Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.4 left arrow 14.1
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 14900
    Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.4 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.3 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2696 left arrow 2879
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения