RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3683
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link