RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
58
Около -205% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3521
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link