Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 21.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 18.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 58

Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 18
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 21.4
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 3625

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-153.A00LF 8GB

Kingston 9965525-153.A00LF 8GB

Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB

Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB

модули RAM