RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
71
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.2
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
71
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1359
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link