RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около -76% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2994
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link