RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
25.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
20.7
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
25.6
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
20.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
4537
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link