RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3885
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link