RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2227
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link