RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2419
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link