RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
58
Около -93% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3473
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link