Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 58

Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.9 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 32
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 11.1
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 2238

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM