Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 14.0

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 58

Около -152% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 18.0
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 3327

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

модули RAM

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

модули RAM