Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 21.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 18.6

Среднее значение в тестах

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 58

Около -241% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 17
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 21.6
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 3528

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB

Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM