RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3465
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link