RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
74
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
74
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1616
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link