Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

52 74

Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 5.9

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.9 10.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17500

Около 1.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 74
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 12.9
Скорость записи, Гб/сек

8.2 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17500 19200

Other

Описание

PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2319 1344

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM