RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17500
Около 1.46 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
25600
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
3525
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link