Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около 24% меньшая задержка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 9.6

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 46
Скорость чтения, Гб/сек

15.1 16.0
Скорость записи, Гб/сек

9.6 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2502 2660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM