RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB против Kingston HX421C14FB/4 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Средняя оценка
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.9
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2812
2730
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF556C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link