RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1335
3687
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link