RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Причины выбрать
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Сообщить об ошибке
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 41
    Около -32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.4 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.7 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1335 left arrow 3039

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Сравнения RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
модули RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
модули RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
модули RAM