Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB против Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 43

Около 30% меньшая задержка
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11.1 10.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

30 43
Скорость чтения, Гб/сек

10.7 11.1
Скорость записи, Гб/сек

7.3 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1426 1357

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

Kingston 9905702-204.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM