RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Mushkin 991586 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 991586 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 991586 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2156
2481
Mushkin 991586 2GB Сравнения RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link