Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 63

Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.3 5.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 38
Скорость чтения, Гб/сек

7.7 13.0
Скорость записи, Гб/сек

5.0 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1130 2499

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

модули RAM