Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 63

Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.0 5.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 29
Скорость чтения, Гб/сек

7.7 19.3
Скорость записи, Гб/сек

5.0 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1130 3687

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM