RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2301
2319
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link