RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3651
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link