RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2855
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link