RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3614
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link