RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2327
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link